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橢圓偏振光譜（SE）是一種成熟的光學(xué)技術(shù)，用于以非破壞性和非接觸方式表征塊狀材料，薄膜，涂層，表面層和嵌入層。對于常規(guī)和晶圓廠加工質(zhì)量控制，必須有一個自動盒式裝卸機(jī)。為此，我們開發(fā)了一種低成本解決方案，可將晶圓尺寸從2“擴(kuò)展到8”（臺式），將塔式尺寸擴(kuò)展到12“。用戶甚至可以為每個插槽定義配方，從而為整個盒式磁帶測量定義配方。

橢圓偏振光譜儀SE-Solar專為光伏（PV）應(yīng)用而設(shè)計。它可以配置為覆蓋DUV到NIR范圍，可以使用手動測角儀以5度間隔改變?nèi)肷浣?，也可以配置為自動測角儀，分辨率為0.001度?；陉嚵械臋z測設(shè)置可為用戶提供快速測量，每個數(shù)據(jù)只需幾秒鐘。當(dāng)需要映射或?qū)崟r原位測量時，這是所有SE模型中的*選擇。

對于某些應(yīng)用（例如MEMS或半導(dǎo)體產(chǎn)品晶圓上的功能），希望有一個小的探測點。將顯微分光光度計與橢圓偏振光度計集成在一起后，工具的功能將大大擴(kuò)展?？赏ㄟ^橢圓偏振光度法在超薄膜上工作，并且還具有通過微反射法與橢圓度計和微分光光度計相結(jié)合的*配置的小面積微反射法。

紅外光譜橢圓儀（IRSE）可以表征材料的結(jié)構(gòu)（厚度，界面，表面粗糙度，污染），光學(xué)（光學(xué)常數(shù)），電（導(dǎo)電性）以及化學(xué)信息。

光譜橢偏儀可配置從DUV到NIR的波長范圍。DUV范圍可用于測量超薄膜，如納米厚度范圍。比如硅晶片上的原生氧化物，其通常僅為約1至2nm厚。當(dāng)用戶需要測量許多材料的帶隙時，深紫外光譜橢偏儀也是*的。可見或近紅外范圍用于測量相對厚或非常厚的涂層。