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EM Resist SU-8負性抗蝕劑產(chǎn)品，非常適合半導體應用。我們的產(chǎn)品有各種形式和厚度范圍。 典型的SU-8過程包括以下步驟： 基板準備 旋涂 松弛時間以提高表面均勻度 軟烤 曝光后烘烤 發(fā)展歷程 沖洗并干燥 可選硬烤

SU-8 2000是一種高對比度，基于環(huán)氧的光致抗蝕劑，設計用于微加工和其他微電子應用，需要厚，化學和熱穩(wěn)定的圖像。 SU-8 2000是SU-8的改進配方，多年來已被MEMS生產(chǎn)商廣泛使用。使用更快干燥，極性更大的溶劑系統(tǒng)可改善涂層質(zhì)量并提高工藝產(chǎn)量。 SU-8 2000有十二種標準粘度。通過單道涂覆工藝可以實現(xiàn)0.5至 200微米的膜厚。使膜的暴露的和隨后熱交聯(lián)的部分不溶于液體顯影劑。

SU-8 3000是一種高對比度，基于環(huán)氧的光刻膠，專為微加工和其他微電子應用中， 需要化學和熱穩(wěn)定的圖像。 SU-8 3000是SU-8和SU-8 2000的改進配方，已被廣泛采用 由MEMS生產(chǎn)商使用多年。 SU-8 3000有配制用于改善附著力和降低涂層應力。 SU-8 3000的粘度范圍允許膜厚為4至單層涂層厚度為120 µm。

SU-8 2000是一種高對比度，基于環(huán)氧的光致抗蝕劑，設計用于微加工和其他微電子應用，需要厚，化學和熱穩(wěn)定的圖像。 SU-8 2000是SU-8的改進配方，多年來已被MEMS生產(chǎn)商廣泛使用。使用更快干燥，極性更大的溶劑系統(tǒng)可改善涂層質(zhì)量并提高工藝產(chǎn)量。 SU-8 2000有十二種標準粘度。通過單道涂覆工藝可以實現(xiàn)0.5至 200微米的膜厚。使膜的暴露的和隨后熱交聯(lián)的部分不溶于液體顯影劑。

SU-8 2000化學放大，i線抗蝕劑非常適合制造 permanent性器件結(jié)構(gòu)。 這些負色調(diào)，環(huán)氧基抗蝕劑表現(xiàn)出優(yōu)異的耐化學性和低的楊氏模量，使其成為制造微/納米結(jié)構(gòu)的理想選擇，如懸臂，膜和微通道。

SU-8 3000已被配制用于改進的粘合性和降低的涂層應力。它被用于需要高結(jié)合強度和改進的微結(jié)構(gòu)制造柔性的地方。 結(jié)果，大大提高了與基板的粘合性。